無(wú)線(xiàn)充應(yīng)用

    智能、便攜產(chǎn)品的發(fā)展，注定無(wú)線(xiàn)充產(chǎn)品將會(huì)得到消費(fèi)者的青睞， 無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)憑借著簡(jiǎn)單、高效的特點(diǎn)在智能手機(jī)領(lǐng)域獲得了巨大的成功。

    無(wú)線(xiàn)充電器是利用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行充電的設(shè)備，其原理和變壓器相似，通過(guò)在發(fā)送和接收端各安置一個(gè)線(xiàn)圈，發(fā)送端線(xiàn)圈在電力的作用下向外界發(fā)出電磁信號(hào)，接收端線(xiàn)圈收到電磁信號(hào)并且將電磁信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏鳎瑥亩_(dá)到無(wú)線(xiàn)充電的目的。無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)是一種特殊的供電方式，它不需要電源線(xiàn)，依靠電磁波傳播，然后將電磁波能量轉(zhuǎn)化為電能，最終實(shí)現(xiàn)無(wú)線(xiàn)充電。

 針對(duì)無(wú)線(xiàn)充產(chǎn)品，芯控源推出適用于電路中H橋的低內(nèi)阻的雙N或都N+P封裝的MOSFET，以及在多線(xiàn)圖中切換40V,60V的雙N-MOSFET,適配于各類(lèi)主控芯片的驅(qū)動(dòng)，電壓從20V-100V，封裝有SOT23-6,SOP-8,DFN3X3,DFN5X6等，芯控源推出的低阻抗，開(kāi)關(guān)頻率高的MOS產(chǎn)品，使無(wú)線(xiàn)充可以更高效率，更小形，更大功率。

PD快充應(yīng)用

    PD快充，主要適配在手機(jī)、筆記本充電器、電動(dòng)工具等。PD的核心部分為AC-DC及SR副邊控制，由于現(xiàn)在前級(jí)高壓GaN器件的量產(chǎn)，使產(chǎn)品的體積更小，方案的頻率提到150KHZ，此時(shí)對(duì)SSR同步的可靠性與能效比有著較高的要求。而開(kāi)關(guān)控制器件則在其中扮演著核心角色，合理的器件選擇能有效降低損耗，提高可靠性，降低EMC。

    針對(duì)現(xiàn)代PD電源的需要，芯控源推出的SGT低壓MOSFET產(chǎn)品，且有開(kāi)關(guān)響應(yīng)迅速，能效更高，發(fā)熱更低，可用于150KHZ的以上的開(kāi)關(guān)應(yīng)用，使系統(tǒng)表現(xiàn)更優(yōu)秀。

    芯控源的SGT系列產(chǎn)品具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗、極低的柵極電荷（Qg)，從而降低了器件的功率損耗，提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，由于采用了自主創(chuàng)新技術(shù)，優(yōu)化了器件的開(kāi)關(guān)特性，器件在系統(tǒng)中具有更好的EMI表現(xiàn)。另外，多樣的封裝形式能滿(mǎn)足客戶(hù)的不同需求。

電池管理應(yīng)用

隨著新能源的發(fā)展，電池的產(chǎn)品更加豐富，電池的安全成了人們生活中重要的一部分。電池管理系統(tǒng) (BMS) 是一種電子控制電路，可監(jiān)控并調(diào)節(jié)電池的充放電，并對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而控制鋰電池的充放電情況，從而對(duì)鋰電池在面臨過(guò)充或過(guò)放失控的時(shí)候及時(shí)切斷鋰電池的通路，保證電池的安全性。

 芯控源針對(duì)電池管理系統(tǒng)的安全及可靠需求，開(kāi)發(fā)出具有良好的抗電流沖擊能力的產(chǎn)品，可以充分保證被控電池周邊人員的安全，極大的提高應(yīng)用的可靠性也更能保證整個(gè)電池管理系統(tǒng)的正常運(yùn)行。例如Super Trench MOSFET 系列產(chǎn)品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽技術(shù)，降低了器件的特征導(dǎo)通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）,全面提升了產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻溫度特性，有效控制了器件導(dǎo)通電阻隨溫度增加而上升的幅度，從而顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性。產(chǎn)品將更適宜于高溫嚴(yán)酷環(huán)境下的應(yīng)用。

無(wú)刷電機(jī)應(yīng)用

    無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器(或集電環(huán))的電機(jī)，又稱(chēng)無(wú)換向器電機(jī)。由于BLDC產(chǎn)品具有無(wú)刷，高效，高壽命，靜音的優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)得到高速的增長(zhǎng)，市場(chǎng)在不斷的從有刷電機(jī)替換成無(wú)刷電機(jī)。如：泵、扇、電動(dòng)工具、園林工具、電動(dòng)雙輪車(chē)等等。

    芯控源Normal Trench MOSFET系列&Super Trench MOSFET系列，在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致，全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性。特別是Super Trench技術(shù)為您帶來(lái)了更低的導(dǎo)通損耗以及更好的開(kāi)關(guān)特性，如今新的SGT產(chǎn)品較第一代產(chǎn)品綜合性能提升20% 以上，使您獲得更高的效率。同時(shí)如果更加關(guān)注成本，也可以選擇Normal Trench MOSFET系列，來(lái)獲取更高的性?xún)r(jià)比。

    配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開(kāi)關(guān)過(guò)程中的抗沖擊耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。

PFC+LLC電源應(yīng)用

    PFC+LLC大功率電源，廣泛運(yùn)用于日常生活的各項(xiàng)電器電源中，如工業(yè)設(shè)備、LED照明、電動(dòng)車(chē)充電器、儲(chǔ)能電池等等。適配器的核心部分為AC-DC控制器，由于高壓的存在，對(duì)器件的可靠性與能效比有著較高的要求。而開(kāi)關(guān)控制器件則在其中扮演著核心角色，合理的器件選擇能有效降低損耗，提高可靠性，降低EMC。

    針對(duì)大功率電源的需要，我司針對(duì)前級(jí)高壓MOS,推出Super-Junction技術(shù)的應(yīng)用同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更大電流和高壓能力，并且開(kāi)關(guān)響應(yīng)迅速，能效更高，發(fā)熱更低，針對(duì)SSR次級(jí)半橋/全橋的應(yīng)用，推出Low Ciss SGT 低壓MOSFET,可用于高達(dá)150KHZ或以上的開(kāi)關(guān)應(yīng)用，使系統(tǒng)表現(xiàn)更優(yōu)秀。

    芯控源SGT MOSFET產(chǎn)品具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗、極低的柵極電荷（Qg），從而降低了器件的功率損耗，提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，由于采用了自主創(chuàng)新技術(shù)，優(yōu)化了器件的開(kāi)關(guān)特性，器件在系統(tǒng)中具有更好的EMI表現(xiàn)。另外，多樣的封裝形式能滿(mǎn)足您的不同需求。

直轉(zhuǎn)交流逆變器

DC-AC逆變器是一種能夠?qū)?DC12V-48V直流電轉(zhuǎn)換為交流與市電相同的電壓，供一般電器使用，車(chē)載逆變器主要由DC-DC升壓電路、AC-DC全橋逆變電路、防反接電路組成，近年來(lái)，由于全球新能源汽車(chē)的增長(zhǎng)，和能源危機(jī)及能源排放的雙重影響下，儲(chǔ)能電池及太陽(yáng)光伏產(chǎn)品得到爆發(fā)的增長(zhǎng)，DC-AC逆變器也隨之進(jìn)入消費(fèi)市場(chǎng)中。

 芯控源擁有豐富的分立式半導(dǎo)體產(chǎn)品， 包括中低壓MOSFET、高壓超結(jié)以及IGBT，可提供最匹配應(yīng)用性能需求的產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)逆變器高轉(zhuǎn)換效率的要求。 

 芯控源著重推出全新一代Trench FS IGBT系列產(chǎn)品，通過(guò)釆用高密度器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及先進(jìn)的超薄芯片加工工藝，優(yōu)化載流子注入效率和載流分布，顯著降低器件的飽和壓降和關(guān)斷損耗，從而降低器件功耗，提升系統(tǒng)效率。

IGBT產(chǎn)品選型表

   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極晶體管，是在普通VDMOS基礎(chǔ)上，晶圓背面增加了P+注入，利用電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)在漂移區(qū)增加載流子數(shù)量，從而大幅度降低器件的導(dǎo)通電阻和芯片面積。IGBT器件電流密度高且功耗低，能夠顯著提高能效、降低散熱需求，適用于高電壓、大電流等大功率場(chǎng)景。

   AGMSEMI的IGBT采用目前業(yè)內(nèi)最新的trench FS工藝，依托于國(guó)內(nèi)成熟且工藝領(lǐng)先的8寸/12寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，擁有更低的導(dǎo)通壓降和開(kāi)關(guān)損耗，以及更強(qiáng)的可靠性。

    目前芯控源IGBT產(chǎn)品根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同，擁有F、S、D、L等系列，覆蓋了600V~1200V以及5A~900A的功率范圍，廣泛應(yīng)用于通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應(yīng)加熱設(shè)備、大型家電、電焊接、開(kāi)關(guān)電源以及新能源等領(lǐng)域。